參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5401
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP General Purpose Amplifier(PNP型通用放大器)
中文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 109K
代理商： MMBT5401
2
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed as a general purpose amplifier and switch
for applications requiring high voltages. Sourced from Process 74.
MMBT5401
2N5401
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
150
160
5.0
200
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N5401
625
5.0
83.3
200
*MMBT5401
350
2.8
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
357
CBE
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 2L
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
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