參數(shù)資料
型號： MMBT5089S62Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： MMBT5089S62Z
2N5088
/
MMBT5088
/
2N5089
/
MMBT5089
DC Typical Characteristics
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P0
0.1
1
10
100
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITTE
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
CE
S
A
T
25 °C
- 40 °C
125 °C
ββ = 10
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P0
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITTE
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
S
A
T
ββ = 10
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
S
E
-E
M
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
P0
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
C
T
O
R
CU
RRE
N
T
(n
A
)
A
CB
O
V
= 45V
CB
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
P07
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-T
Y
P
ICAL
P
U
L
S
E
D
CUR
RE
NT
G
A
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
Vce=5V
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5088S62Z 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5089L99Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBT5179_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5210 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5210 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5210_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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