參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5089S62Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 208K
代理商： MMBT5089S62Z
2N5088
/
MMBT5088
/
2N5089
/
MMBT5089
2N5088
2N5089
MMBT5088
MMBT5089
NPN General Purpose Amplifier
This device is designed for low noise, high gain, general purpose
amplifier applications at collector currents from 1
A to 50 mA.
Sourced from Process 07.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
2N5088
2N5089
30
25
V
VCBO
Collector-Base Voltage
2N5088
2N5089
35
30
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
4.5
V
IC
Collector Current - Continuous
100
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N5088
2N5089
*MMBT5088
*MMBT5089
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
350
2.8
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
357
°C/W
C
B
E
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 1Q / 1R
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5088S62Z 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5089L99Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBT5210 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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