參數(shù)資料
型號: MMBT5088S62Z
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 208K
代理商: MMBT5088S62Z
2N5088
/
MMBT5088
/
2N5089
/
MMBT5089
AC Typical Characteristics
Input / Output Capacitance
vs. Reverse Bias Voltage
Contours of Constant Gain
Bandwidth Product (f
T)
Wideband Noise Figure
vs. Source Resistance
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
Noise Figure vs. Frequency
Normalized Collector Cutoff
Current vs. Ambient Temperature
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關PDF資料
PDF描述
MMBT5089L99Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5089 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5089LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5089LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5179 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBT5179_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2