參數(shù)資料
型號： MMBT5088S62Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 208K
代理商： MMBT5088S62Z
2N5088
/
MMBT5088
/
2N5089
/
MMBT5089
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
IC = 100
A, V
CE = 5.0 V
2N5088
2N5089
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V
2N5088
2N5089
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V*
2N5088
2N5089
300
400
350
450
300
400
900
1200
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
0.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
0.8
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
2N5088
2N5089
30
25
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
2N5088
2N5089
35
30
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 20 V, IE = 0
2N5088
VCB = 15 V, IE = 0
2N5089
50
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 3.0 V, IC = 0
VEB = 4.5 V, IC = 0
50
100
nA
Spice Model
NPN (Is=5.911f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=62.37 Bf=1.122K Ne=1.394 Ise=5.911f Ikf=14.92m Xtb=1.5 Br=1.271
Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1.61 Cjc=4.017p Mjc=.3174 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.973p Mje=.4146 Vje=.75 Tr=4.673n
Tf=821.7p Itf=.35 Vtf=4 Xtf=7 Rb=10)
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 500
A,V
CE
= 5.0 mA,
f = 20 MHz
50
MHz
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 5.0 V, IE = 0, f = 100 kHz
4.0
pF
Ceb
Emitter-Base Capacitance
VBE = 0.5 V, IC = 0, f = 100 kHz
10
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V, 2N5088
f = 1.0 kHz
2N5089
350
450
1400
1800
NF
Noise Figure
IC = 100
A, V
CE = 5.0 V,
2N5088
RS = 10 k
,
2N5089
f = 10 Hz to 15.7 kHz
3.0
2.0
dB
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5089L99Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
MMBT5089 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5089LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5089LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5179 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBT5179_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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