參數(shù)資料
型號： MMBT5088L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 208K
代理商： MMBT5088L99Z
2N5088
/
MMBT5088
/
2N5089
/
MMBT5089
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
IC = 100
A, V
CE = 5.0 V
2N5088
2N5089
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V
2N5088
2N5089
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V*
2N5088
2N5089
300
400
350
450
300
400
900
1200
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
0.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
0.8
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
2N5088
2N5089
30
25
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
2N5088
2N5089
35
30
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 20 V, IE = 0
2N5088
VCB = 15 V, IE = 0
2N5089
50
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 3.0 V, IC = 0
VEB = 4.5 V, IC = 0
50
100
nA
Spice Model
NPN (Is=5.911f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=62.37 Bf=1.122K Ne=1.394 Ise=5.911f Ikf=14.92m Xtb=1.5 Br=1.271
Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1.61 Cjc=4.017p Mjc=.3174 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=4.973p Mje=.4146 Vje=.75 Tr=4.673n
Tf=821.7p Itf=.35 Vtf=4 Xtf=7 Rb=10)
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 500
A,V
CE
= 5.0 mA,
f = 20 MHz
50
MHz
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 5.0 V, IE = 0, f = 100 kHz
4.0
pF
Ceb
Emitter-Base Capacitance
VBE = 0.5 V, IC = 0, f = 100 kHz
10
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V, 2N5088
f = 1.0 kHz
2N5089
350
450
1400
1800
NF
Noise Figure
IC = 100
A, V
CE = 5.0 V,
2N5088
RS = 10 k
,
2N5089
f = 10 Hz to 15.7 kHz
3.0
2.0
dB
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5089S62Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088S62Z 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5089L99Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5089LT3 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
MMBT5088LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 35V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5088LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 35V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5089 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5089LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5089LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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