參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5087S62Z
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： MMBT5087S62Z
2N5086
/
MMBT5086
/
2N5087
/
MMBT5087
Typical Characteristics
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BA
SE
E
M
IT
TE
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
C
B
ESA
T
25 °C
- 40 C
125 C
β = 10
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
25
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BA
SE
E
MITTER
ON
VO
L
T
A
GE
(V)
C
BE
ON
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 C
125 C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
50
100
150
200
250
300
350
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
TYPI
CA
L
P
U
L
SED
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
C
FE
125° C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CB
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
COL
L
E
CT
OR
EM
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
GE
(V
)
C
CE
SA
T
β = 10
25 °C
- 40 C
125 C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P62
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
COL
L
E
C
T
O
R
CU
RRE
NT
(
n
A
)
A
CB
O
V
= 40V
CB
Input and Output Capacitance
vs Reverse Bias Voltage
04
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
CA
P
A
CI
T
A
NCE
(pF)
f = 1 MHz
C obo
C ibo
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5086S62Z 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5086L99Z 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5087L99Z 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088L99Z 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5089S62Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBT5088_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5088LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 35V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5088LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 35V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5089 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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