參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5087L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： MMBT5087L99Z
2N5086
/
MMBT5086
/
2N5087
/
MMBT5087
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
250
300
350
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
f
-
GA
IN
BA
ND
W
IDT
H
PRODU
C
T
(M
H
z
)
V
= 5V
CE
C
T
Noise Figure vs Frequency
P62
100
1000
10000
1000000
0
1
2
3
4
5
f - FREQUENCY (Hz)
N
F
-
N
O
IS
E
FI
GU
RE
(
d
B)
V
= 5V
CE
I
= - 250
A, R = 5.0 k
C
S
I
= - 500
A, R = 1.0 k
C
S
I
= - 20
A, R = 10 k
C
S
Wideband Noise Frequency
vs Source Resistance
1,000
2,000
5,000
10,000
20,000
50,000
100,000
0
2
4
6
8
R
- SOURCE RESISTANCE ( )
NF
-
NO
IS
E
F
IG
URE
(
d
B)
V
= 5V
BANDWIDTH = 15.7 kHz
CE
I
= 10
A
C
I
= 100
A
C
S
Equivalent Input Noise Current
vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
i
-E
Q
UIV
A
L
E
NT
INP
U
T
NO
IS
E
CURRE
NT
(p
A
/
Hz
)
V
= - 5.0V
CE
i
, f
= 10
0 Hz
n
C
n
2
√
i
, f
= 1.
0 kHz
n
i
, f
= 10
kHz
n
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
125
250
375
500
625
TEMPERATURE ( C)
P
-
PO
WER
DI
SS
IP
A
T
IO
N
(
W
)
D
o
TO-92
SOT-23
Equivalent Input Noise Voltage
vs Collector Current
P
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
e
-EQU
IV
A
L
E
N
T
I
N
PU
T
N
O
ISE
VOL
T
A
G
E
(
V
/
H
z
)
V
= - 5.0V
CE
C
e
, f = 100 Hz
n
e
, f = 1.0 kHz
n
e
, f = 10 kHz
n
2
√
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5088L99Z 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5089S62Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088S62Z 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5089L99Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088LT3 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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MMBT5087LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5087LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT5087LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5087LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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