參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5086L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： MMBT5086L99Z
2N5086
/
MMBT5086
/
2N5087
/
MMBT5087
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
0.001
0.01
0.1
1
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
R
-
SOURCE
RESI
ST
A
NCE
(
)
BANDWIDTH = 1.5 kHz
10
dB
C
S
6.0
dB
4.0
dB
10
dB
6.0
dB
4.0
dB
2.0
dB
V
= - 5V
f = 10 kHz
CE
1.0
dB
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
0.001
0.01
0.1
1
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
R
-
S
O
U
RCE
RESI
ST
A
NCE
(
)
12
dB
C
S
8.0
dB
5.0
dB
3.0
dB
V
= - 5V
f = 100 Hz
BANDWIDTH = 15 Hz
CE
12
dB
8.0
dB
5.0
dB
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
0.001
0.01
0.1
1
100
1,000
10,000
100,000
1,000,000
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
R
-S
O
UR
CE
RE
S
IST
A
N
C
E
(
)
10
dB
C
S
6.0
dB
4.0
dB
V
= - 5V
f = 1.0 kHz
BANDWIDTH = 150 Hz
CE
10
dB
6.0
dB
4.0
dB
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
0.01
0.1
1
10
100
200
500
1,000
2,000
5,000
10,000
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
R
-
SO
URC
E
RES
IST
A
N
CE
(
)
C
S
6.0
d
B
4.0
d
B
V
= - 5V
f = 10 MHz
BANDWIDTH
= - 2 kHz
CE
6.0
d
B
4.0
d
B
2.0
d
B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5087L99Z 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088L99Z 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5089S62Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5088S62Z 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5089L99Z 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT5087_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5087LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5087LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5087LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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