參數(shù)資料
型號： MMBT4403T/R13
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 315K
代理商： MMBT4403T/R13
MMBT4403
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25C, unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
Test Condition
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector - Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO IC=-1.0mA, IB=0
-40
-
V
Collector - Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO IC=-100uA, IE=0
-40
-
V
Emitter - Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO IE=-100uA, IC=0
-5.0
-
V
Base Cutoff Current
IBEV
VCE=-35V, VEB=-0.4V
-
-100
nA
Collector Cutoff Current
ICEX
VCE=-35V, VEB=-0.4V
-
-100
nA
DC Current Gain
hFE
IC=-0.1mA, VCE=-1.0V
IC=-1.0mA, VCE=-1.0V
IC=-10mA, VCE=-1.0V
IC=-150mA, VCE=-2.0V
IC=-500mA, VCE=-2.0V
30
60
100
20
-
300
-
Collector - Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=-150mA, IB=-15 mA
IC=-500mA, IB=-50mA
-
-0.4
-0.75
V
Base - Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=-150mA, IB=-15mA
IC=-500mA, IB=-50mA
-0.75
-
-0.95
-1.3
V
Current-Gain – Bandwidth Product
fT
IC=-20mA, VCE=-10V,
f=100MHz
200
-
MHz
Collector - Base Capacitance
CCBO
VCB=-5.0V, IE=0, f=1MHz
-
8.5
pF
Emitter - Base Capacitance
CEBO
VCB=-0.5V, IC=0, f=1MHz
-
30
pF
Delay Time
td
-
15
ns
Rise Time
tr
VCC=-30V, VBE=-2.0V,
IC=-150mA, IB1=-15mA
-
20
ns
Storage Time
ts
-
225
ns
Fall Time
tf
VCC=-30V, IC=-150mA,
IB1=IB2=15mA
-
30
ns
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
Fig. 1. Turn-On Time
Fig. 2. Turn-Off Time
C
S < 10pF
200
1.0K
1N916
-30V
0
+2V
10 to 100ns
Duty Cycle ~ 2.0%
-16V
< 2ns
C
S < 10pF
200
1.0K
1N916
-30V
0
+2V
10 to 100ns
Duty Cycle ~ 2.0%
-16V
< 2ns
C
S < 10pF
200
1.0K
1N916
-30V
0
+14V
1 to 100us
Duty Cycle = 2.0%
-16V
<20ns
+4V
C
S < 10pF
200
1.0K
1N916
-30V
0
+14V
1 to 100us
Duty Cycle = 2.0%
-16V
<20ns
+4V
REV.0.1-MAR.5.2009
PAGE . 2
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PDF描述
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MMBT4403WT/R13 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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