參數(shù)資料
型號： MMBT4403T-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： MMBT4403T-13
DS30273 Rev. 6 - 2
4 of 4
MMBT4403T
www.diodes.com
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
1
100
1000
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 7 Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
10
V
= 5V
CE
1
100
1000
1
10
100
1000
h
,
DC
CURRENT
GAIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 6 DC Current Gain vs. Collector Current
10
V
= 5V
CE
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
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PDF描述
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MMBT4403T-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT -40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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