參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT4403LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Switching Transistor(PNP Silicon)
中文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 88K
代理商： MMBT4403LT3
MMBT4403
PNP General
Purpose Amplifier
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
Features
Surface Mount SOT-23 Package
Capable of 350mWatts of Power Dissipation
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
(I
C
=1.0mAdc, I
B
=0)
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=100
μ
Adc, I
E
=0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=100
μ
Adc, I
C
=0)
I
BL
Base Cutoff Current
(V
CE
=30Vdc, V
BE
=3.0Vdc)
I
CEX
Collector Cutoff Current
(V
CE
=30Vdc, V
BE
=3.0Vdc)
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain*
(I
C
=0.1mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=1.0mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=10mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=150mAdc, V
CE
=2.0Vdc)
(I
C
=500mAdc, V
CE
=2.0Vdc)
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=150mAdc, I
B
=15mAdc)
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
V
BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=150mAdc, I
B
=15mAdc)
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain-Bandwidth Product
(I
C
=20mAdc, V
CE
=10Vdc, f=100MHz)
C
cb
Output Capacitance
(V
CB
=10Vdc, I
E
=0, f=1.0MHz)
C
eb
Input Capacitance
(V
EB
=0.5Vdc, I
C
=0, f=1.0MHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
Delay Time
(V
CC
=3.0Vdc, V
BE
=2.0Vdc
t
r
Rise Time
I
C
=150mAdc, I
B1
=15mAdc)
t
s
Storage Time
(V
CC
=3.0Vdc, I
C
=150mAdc
t
f
Fall Time
I
B1
=I
B2
=15mAdc)
*Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Min
Max
Units
40
Vdc
40
Vdc
5.0
Vdc
0.1
μ
Adc
0.1
μ
Adc
30
60
100
100 300
20
0.4
0.75
Vdc
0.75
0.95
1.30
Vdc
200
MHz
8.5
pF
30.0
pF
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
.079
2.000
imm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
2 T
C
B
E
Pin Configuration
Top View
K
A
B
C
D
E
F
G
H
J
www.
mc c semi
.c om
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
!
"#
"#
$ %
!
M C C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT4403LT1 Switching Transistor
MMBT4403LT1 General Purpose Transistor(PNP Silicon)
MMBT4403 12V, CMOS, Rail-to-Rail I/O, Operational Amplifier 14-TSSOP
MMBTA14 NPN Darlington Amplifier Transistor
MMBTA13 NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT4403LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-723 GP PNP TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403T1 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-236AB 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMBT4403T-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT -40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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