參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT4403LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistor(PNP Silicon)
中文描述： 通用晶體管（民進(jìn)黨硅）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： MMBT4403LT1
MMBT4403
PNP General
Purpose Amplifier
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
Features
Surface Mount SOT-23 Package
Capable of 350mWatts of Power Dissipation
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
(I
C
=1.0mAdc, I
B
=0)
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=100
μ
Adc, I
E
=0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=100
μ
Adc, I
C
=0)
I
BL
Base Cutoff Current
(V
CE
=30Vdc, V
BE
=3.0Vdc)
I
CEX
Collector Cutoff Current
(V
CE
=30Vdc, V
BE
=3.0Vdc)
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain*
(I
C
=0.1mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=1.0mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=10mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=150mAdc, V
CE
=2.0Vdc)
(I
C
=500mAdc, V
CE
=2.0Vdc)
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=150mAdc, I
B
=15mAdc)
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
V
BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=150mAdc, I
B
=15mAdc)
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain-Bandwidth Product
(I
C
=20mAdc, V
CE
=10Vdc, f=100MHz)
C
cb
Output Capacitance
(V
CB
=10Vdc, I
E
=0, f=1.0MHz)
C
eb
Input Capacitance
(V
EB
=0.5Vdc, I
C
=0, f=1.0MHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
Delay Time
(V
CC
=3.0Vdc, V
BE
=2.0Vdc
t
r
Rise Time
I
C
=150mAdc, I
B1
=15mAdc)
t
s
Storage Time
(V
CC
=3.0Vdc, I
C
=150mAdc
t
f
Fall Time
I
B1
=I
B2
=15mAdc)
*Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Min
Max
Units
40
Vdc
40
Vdc
5.0
Vdc
0.1
μ
Adc
0.1
μ
Adc
30
60
100
100 300
20
0.4
0.75
Vdc
0.75
0.95
1.30
Vdc
200
MHz
8.5
pF
30.0
pF
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
.079
2.000
imm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
2 T
C
B
E
Pin Configuration
Top View
K
A
B
C
D
E
F
G
H
J
www.
mc c semi
.c om
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
!
"#
"#
$ %
!
M C C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT4403 12V, CMOS, Rail-to-Rail I/O, Operational Amplifier 14-TSSOP
MMBTA14 NPN Darlington Amplifier Transistor
MMBTA13 NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA13-7 NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA14 NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT4403LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403LT1H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMBT4403LT1S 制造商:Motorola 功能描述:4403 MOT'93 T/R 制造商:Motorola Inc 功能描述:Transistor
MMBT4403LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*