參數(shù)資料
型號： MMBT4401T-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBT4401T-13
DS30272 Rev. 5 - 2
4 of 4
MMBT4401T
www.diodes.com
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
1
10
100
1000
1
10
100
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 7 Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
V= 5V
CE
相關PDF資料
PDF描述
MMBT4403-13 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4403LT1
MMBT4403T-13 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4403 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBT5401LT1
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBT4401T-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4401-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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