參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT4126
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 23K
代理商： MMBT4126
DS30106 Rev. A-2
2 of 2
MMBT4126
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
-25
V
IC = -10
A, IE = 0
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
-25
V
IC = -1.0mA, IB = 0
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
-4.0
V
IE = -10
A, IC = 0
Collector Cutoff Current
ICBO
-50
nA
VCB = -20V, IE = 0V
Emitter Cutoff Current
IEBO
-50
nA
VEB = -3.0V, IC = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
DC Current Gain
hFE
120
60
360
IC = -2.0mA, VCE = -1.0V
IC = -50mA, VCE = -1.0V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
-0.40
V
IC = -50mA, IB = -5.0mA
Base- Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
-0.95
V
IC = -50mA, IB = -5.0mA
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Output Capacitance
Cobo
4.5
pF
VCB = -5.0V, f = 1.0MHz, IE = 0
Input Capacitance
Cibo
10
pF
VEB = -0.5V, f = 1.0MHz, IC = 0
Small Signal Current Gain
hfe
120
480
VCE = 1.0V, IC = -2.0mA,
f = 1.0kHz
Current Gain-Bandwidth Product
fT
250
MHz
VCE = -20V, IC = -10mA,
f = 100MHz
Noise Figure
NF
4.0
dB
VCE = -5.0V, IC = -100
A,
RS = 1.0k
, f = 1.0kHz
Notes:
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
2. Pulse test: Pulse width
≤ 300s, duty cycle ≤ 2%.
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PDF描述
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