參數(shù)資料
型號： MMBT4126
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 23K
代理商： MMBT4126
DS30106 Rev. A-2
1 of 2
MMBT4126
MMBT4126
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Epitaxial Planar Die Construction
Complementary NPN Type Available
(MMBT4124)
Ideal for Medium Power Amplification and
Switching
Characteristic
Symbol
MMBT4126
Unit
Collector-Base Voltage
VCBO
-25
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-25
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-4.0
V
Collector Current - Continuous (Note 1)
IC
-200
mA
Power Dissipation (Note 1)
Pd
350
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)
RθJA
357
K/W
Operating and Storage and Temperature Range
Tj,TSTG
-55 to +150
°C
Features
Maximum Ratings
@ TA = 25
°C unless otherwise specified
A
E
J
L
M
B
C
H
G
D
K
TOP VIEW
C
E
B
Mechanical Data
Case: SOT-23, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagram
Marking: K2B
Weight: 0.008 grams (approx.)
SOT-23
Dim
Min
Max
A
0.37
0.51
B
1.19
1.40
C
2.10
2.50
D
0.89
1.05
E
0.45
0.61
G
1.78
2.05
H
2.65
3.05
J
0.013
0.15
K
0.89
1.10
L
0.45
0.61
M
0.076
0.178
All Dimensions in mm
Notes:
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
2. Pulse test: Pulse width
≤ 300s, duty cycle ≤ 2%.
POWER SEMICONDUCTOR
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