參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT404ALT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Chopper Transistor(PNP Silicon)
中文描述： 斬波晶體管（民進(jìn)黨硅）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 95K
代理商： MMBT404ALT1
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –12 mAdc, VCE = –0.15 Vdc)
hFE
100
—
400
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = –12 mAdc, IB = –0.4 mAdc)
(IC = –24 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
VCE(sat)
—
—
—
—
–0.15
–0.2
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = –12 mAdc, IB = –0.4 mAdc)
(IC = –24 mAdc, IB = –1.0 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
VBE(sat)
—
—
—
—
–0.85
–1.0
Vdc
Output Capacitance
(VCB = –6.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
Cobo
—
—
20
pF
Delay time
(VCC = –10 Vdc, IC = –10 mAdc) (Figure 1)
td
—
43
—
ns
Rise Time
(IB1 = –1.0 mAdc, VBE(off) = –14 Vdc)
tr
—
180
—
ns
Storage Time
(VCC = –10 Vdc, IC = –10 mAdc)
ts
—
675
—
ns
Fall Time
(IB1 = IB2 = –1.0 mAdc) (Figure 1)
tf
—
160
—
ns
Figure 1. Switching Time Test Circuit
VBB
RBB
1.0 k
RB
10 k
0.1
μ
F
Vin
51
TO SCOPE
1.0 k
VCC = –10 V
ton, td, tr
toff, ts and tf
Voltages and resistor values shown are
for IC = 10 mA, IC/IB = 10 and IB1 = IB2
Vin
(Volts)
VBB
(Volts)
–12
+1.4
+20.6
–11.6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT589LT1 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management In Portable Applications(用于便攜負(fù)載管理的大電流表貼型PNP開關(guān)晶體管)
MMC2001 Highly Integrated, Low-Power, 32-Bit Microcontroller
MMC2075 Integrated Processor with Roaming FLEX Decoder
MMC2075VF001 Integrated Processor with Roaming FLEX Decoder
MMC2080 Integrated Processor with Roaming FLEX Decoder
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參數(shù)描述
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MMBT4124 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V
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MMBT4124-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4124-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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