參數(shù)資料
型號： MMBT404ALT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Chopper Transistor
中文描述： 150 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： MMBT404ALT1
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1996
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
–35
Vdc
Collector–Base Voltage
–40
Vdc
Emitter–Base Voltage
–25
Vdc
Collector Current — Continuous
–150
mAdc
DEVICE MARKING
MMBT404ALT1 = 2N
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR-5 Board,*
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
PD
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,** TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
TJ, Tstg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to +150
°
C
*FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
**Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
–35
—
—
Vdc
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = –10
μ
Adc, IE = 0)
V(BR)CBO
–40
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = –10
μ
Adc, IC = 0)
V(BR)EBO
–25
—
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –10 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
—
–100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
—
–100
nAdc
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
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by MMBT404ALT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Motorola Preferred Device
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT404ALT1 Chopper Transistor(PNP Silicon)
MMBT589LT1 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management In Portable Applications(用于便攜負(fù)載管理的大電流表貼型PNP開關(guān)晶體管)
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參數(shù)描述
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