參數(shù)資料
型號： MMBT3904T/R7
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 177K
代理商： MMBT3904T/R7
PAGE . 3
REV.0.1-OCT.21.2008
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVE
0
50
100
150
200
250
300
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I C (mA)
hF
E
TJ = 25 C
TJ = 100 C
TJ = 150 C
VCE = 1V
0.000
0.200
0.400
0.600
0.800
1.000
1.200
1.400
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, IC (mA)
V
BE
(
V)
TJ = 25 C
TJ = 100 C
TJ = 150
VCE = 1V
0.1
1.0
0.01
0.1
1
10
100
Collector Current, I C (mA)
V
BE
(s
a
t)
(V
)
TJ = 25 C
TJ = 150 C
IC/IB = 10
TJ = 100 C
0.010
0.100
1.000
0.01
0.1
1
10
100
1000
Collector Current, I C (mA)
V
CE
(sa
t)
(
V
)
TJ = 25 C
TJ = 150 C
IC/IB = 10
1
10
0.1
1
10
100
Reverse Voltage, VR (V)
C
a
pa
ci
ta
n
c
e
(pF
)
COB (CB)
CIB (EB)
TJ = 25 C
Fig. 1. Typical hFE vs Collector Current
Fig. 2. Typical VBE vs Collector Current
Fig. 3. Typical VCE (sat) vs Collector Current
Fig. 4. Typical VBE (sat) vs Collector Current
Fig. 5. Typical Capacitances vs Reverse Voltage
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PDF描述
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MMBT3904TT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT3904TT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904TT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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