參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT3904T/R7
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 177K
代理商： MMBT3904T/R7
PAGE . 2
REV.0.1-OCT.21.2008
MMBT3904
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Note 2: Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%.
275
W
10K
W
0
-0 .5 V
300 ns
Duty Cycle ~ 2.0%
+10.9V
+3V
D elay and R ise Tim e Equivalent Test C ircuit
< 1ns
C *<4pF
S
Storage and Fall Tim e Equivalent Test Circuit
0
-9 .1V
10 to 500us
Duty Cycle ~ 2.0%
+10.9V
< 1ns
0
1N916
+3V
275
W
10K
W
C * < 4pF
S
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
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Sn
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t
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1
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=0
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-
V
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l
o
V
n
w
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k
a
e
r
B
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s
a
B
-
r
o
t
c
e
l
o
CV (B R)
O
B
CIC
I
,
A
u
0
1
=E 0
=0
6-
-
V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
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B
e
s
a
B
-
r
e
t
i
m
EV (B R)
O
B
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I
,
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0
1
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=0
.
6-
-
V
t
n
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C
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BIBL
VE
CV
,
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3
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.
0
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0
.
1
=
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V
,
A
m
0
.
1
=E
CV
0
.
1
=
IC
V
,
A
m
0
1
=E
CV
0
.
1
=
IC
V
,
A
m
0
5
=E
CV
0
.
1
=
IC
V
,
A
m
0
1
=E
CV
0
.
1
=
0
4
0
7
0
1
0
6
0
3
-
0
3
-
e
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t
l
o
V
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N
(
V CE (S AT)
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1
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A
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0
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5
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2
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0
3
.
0
V
)
2
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o
N
(
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S
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BV BE(SAT)
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I
,
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0
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=B
A
m
0
.
1
=
IC
I
,
A
m
0
5
=B
A
m
0
.
5
=
5
6
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0
-
5
8
.
0
5
9
.
0
V
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8F
p
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m
i
T
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a
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Dd
t
VC
CV
,
V
3
=E
B,
V
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.
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-
=
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I
,
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0
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=B
A
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0
.
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--
5
3s
n
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m
i
T
e
s
i
Rr
t
VC
CV
,
V
3
=E
B,
V
5
.
0
-
=
IC
I
,
A
m
0
1
=B
A
m
0
.
1
=
--
5
3s
n
e
m
i
T
e
g
a
r
o
t
Ss
t
VC
CI
,
V
3
=C
A
m
0
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=
IB
I
=
1B
A
m
0
.
1
=
2
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0
2s
n
e
m
i
T
l
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Ff
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CI
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V
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=C
A
m
0
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=
IB
I
=
1B
A
m
0
.
1
=
2
--
0
5s
n
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT3904TT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904TT1_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
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MMBT3904TT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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