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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT3904T-13 |
| 廠(chǎng)商： | DIODES INC |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | MMBT3904T-13 |
DS30270 Rev. 5 - 2
3 of 3
MMBT3904T
www.diodes.com
0
5
15
10
0.1
1
10
100
C
,
INPUT
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
IBO
C
,
OUTPUT
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
OBO
V
, COLLECTOR-BASE VOLTAGE (V)
CB
Fig. 2, Input and Output Capacitance vs.
Collector-Base Voltage
Cibo
Cobo
f = 1MHz
0
100
150
50
200
250
0
100
200
P
,
POWER
DISSIP
A
T
ION
(mW)
d
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Power Derating Curve
(see Note 1)
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
1000
V
,
COLLECT
OR-EMITTER
(V)
CE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Typical Collector-Emitter
Saturation Voltage vs. Collector Current
I
C
I
B
=10
1
10
1000
100
0.1
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
GAIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, Typical DC Current Gain vs
Collector Current
T = -25°C
A
T = +25°C
A
T = 125°C
A
V
= 1.0V
CE
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
V
,
BASE-EMITTER
(V)
BE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Typical Base-Emitter
Saturation Voltage vs. Collector Current
I
C
I
B
=10
T= 25°C
A
T = 75°C
A
T = -25°C
A
T = 125°C
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3904T/R7 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T/R13 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T/R | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T/R_NL | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT3904T-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904T-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904-TR | 制造商:New Jersey Semi. 功能描述: |
| MMBT3904T-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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