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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT3904RF |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 303K |
| 代理商： | MMBT3904RF |
MMBT3904
300mW, NPN Small Signal Transistor
Small Signal Transistor
Rating and Characteristic Curves
Version : B10
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-B
A
SE-
EMI
TTER
ON
VOL
T
A
G
E
(
V
)
BE
(O
N)
C
V
= 5V
CE
25 °C
125 °C
- 40 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EM
ITT
E
R
VOL
T
A
G
E
(
V
)
BESA
T
C
β = 10
25 °C
125 °C
- 40 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.05
0.1
0.15
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-CO
LL
EC
T
O
R-
E
M
ITTE
R
VO
L
T
A
G
E
(V)
CESA
T
25 °C
C
β = 10
125 °C
- 40 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
500
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-C
O
LL
ECT
O
R
C
URR
ENT
(
n
A
)
A
V
= 30V
CB
O
°
Capacitance vs
Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
100
1
2
3
4
5
10
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
CA
P
A
CIT
A
NCE
(p
F
)
C obo
C ibo
f = 1.0 MHz
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
100
200
300
400
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
TY
P
IC
A
L
P
U
L
S
E
D
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
FE
- 40 °C
25 °C
C
V
= 5V
CE
125 °C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3904T-13 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T/R7 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T/R13 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T/R | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT3904RFG | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:300mW, NPN Small Signal Transistor |
| MMBT3904SL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904SL-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:MMBT3904SL Series 40 V 200 mA SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-923F |
| MMBT3904T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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