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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT3904RF |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大小： | 303K |
| 代理商： | MMBT3904RF |
MMBT3904
300mW, NPN Small Signal Transistor
Small Signal Transistor
Electrical Characteristics
Units
Collector-Base Breakdown Voltage
IE= 0
V
IB= 0
V
IC= 0
V
IE= 0
μA
nA
IC= 0
μA
IC= 10mA
IC= 50mA
IC= 100mA
Collector-Emitter saturation voltage
IB= 5mA
V
Base-Emitter saturation voltage
IB= 5mA
V
VCE= 20V
f= 100MHz
MHz
VCC=3V VBE=0.5V IC=10mA IB1=1.0mA
nS
VCC=3V VBE=0.5V IC=10mA IB1=1.0mA
nS
VCC=3V IC=10mA IB1=IB2=1.0mA
nS
VCC=3V IC=10mA IB1=IB2=1.0mA
nS
Tape & Reel specification
Carrier width
Carrier length
Carrier depth
Sprocket hole
Reel outside diameter
Reel inner diameter
Feed hole width
Sprocke hole position
Punch hole position
Sprocke hole pitch
Embossment center
Overall tape thickness
Tape width
Reel width
178 ± 1
d
D
200
C
50
1.50 ± 0.10
VBE(sat)
0.3
0.95
55 Min
tr
Item
Symbol
Dimension(mm)
A
B
Min
Max
0.1
Type Number
IC= 10μA
IC= 1mA
IE= 10μA
VCB= 60V
60
40
VCE= 1V
50
30
-
400
VEB= 5V
VCE= 1V
60
-
6
0.1
Delay time
Rise time
250
fT
td
-
-35
IC= 50mA
IC= 10mA
Transition frequency
W1
3.15 ±0.10
2.77 ±0.10
1.22 ±0.10
13.0 ± 0.20
1.75 ±0.10
3.50 ±0.05
4.00 ±0.10
P0
P1
Emitter Cut-offCurrent
T
D1
D2
E
F
DC current gain
-
V(BR)CBO
IEBO
VCE(sat)
ICBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
Symbol
-
hFE
Collector Cut-off Current
VCE= 30V
VBE(OFF)= 3V
12.30 ±0.20
Collector-Emitter Breakdown Voltage
2.00 ±0.05
Emitter-Base Breakdown Voltage
0.229 ±0.013
8.10 ±0.20
W
Collector Cut-off Current
ICEO
-
VCE= 1V
100
Fall time
tf
-
Storage time
ts
-
Top Cover Tape
Carieer Tape
Any Additional Label (If Required)
TSC label
W1
D1
D2
D
T
C
d
P1
P0
A
B
F
W
E
Direction of Feed
Version : B10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3904T-13 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T/R7 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T/R13 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T/R | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT3904RFG | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:300mW, NPN Small Signal Transistor |
| MMBT3904SL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904SL-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:MMBT3904SL Series 40 V 200 mA SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-923F |
| MMBT3904T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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