參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT3904/E9
廠(chǎng)商： GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： MMBT3904/E9
Fig. 1: Test circuit for delay and rise time
* total shunt capacitance of test jig and connectors
Fig. 2: Test circuit for storage and fall time
* total shunt capacitance of test jig and connectors
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Noise Figure
NF
VCE =5V, IC = 100
A,
——
5dB
RG =1k
, f = 10...15000 Hz
Input Impedance
hie
VCE = 10 V, IC = 1 mA,
1
—
10
k
f = 1 kHz
Small Signal Current Gain
hfe
VCE = 10 V, IC = 1 mA,
100
—
400
—
f = 1 kHz
Voltage Feedback Ratio
hre
VCE = 10 V, IC = 1 mA,
0.5 10-4
—
8 10-4
—
f = 1 kHz
Output Admittance
hoe
VCE = 1 V, IC = 1 mA,
1
—
40
S
f = 1 kHz
Delay Time (see Fig. 1)
td
IB1 = 1 mA, IC = 10 mA
——
35
ns
Rise Time (see Fig. 1)
tr
IB1 = 1 mA, IC = 10 mA
——
35
ns
Storage Time (see Fig. 2)
ts
–IB1 = IB2 = 1 mA, IC = 10 mA
——
200
ns
Fall Time (see Fig. 2)
tf
–IB1 = IB2 = 1 mA, IC = 10 mA
——
50
ns
MMBT3904
Small Signal Transistor (NPN)
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PDF描述
MMBT3904/E8 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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