參數(shù)資料
型號(hào): MMBT3646-HIGH
廠商: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大小: 38K
代理商: MMBT3646-HIGH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT3702S62Z 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3702D87Z 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3702L99Z 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904-13 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904/E9 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT3702 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3702_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3903 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT3904 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: