型號(hào): | MMBT3646-HIGH |
廠商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大小: | 38K |
代理商: | MMBT3646-HIGH |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBT3702S62Z | 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT3702D87Z | 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT3702L99Z | 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT3904-13 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT3904/E9 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBT3702 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT3702_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ 25V/ 800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT3903 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) |
MMBT3904 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT3904 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |