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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT3640LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 155K |
| 代理商： | MMBT3640LT1 |
MMBT3640LT1
http://onsemi.com
571
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain
200
10
-1.0
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. “On” Voltages
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
-1.4
0
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = -1.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(sat) @ IC/IB = 10
-2.0
-5.0 -10 -20
-50
100
20
50
70
TJ = 125°C
25°C
-55°C
VCE = -1.0 V
30
-100
-0.1 -0.2
-0.5
-1.2
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-1.0 -2.0
-5.0
-10 -20
-50 -100
-0.1 -0.2
-0.5
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 5. Collector Saturation Region
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS) -1.0
-0.6
0
IC = -1.0 mA
-0.8
-0.4
-0.2
-0.01 -0.02 -0.05 -0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10
-5.0 mA
-20 mA
-80 mA
TJ = 25°C
V,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50 -100
-0.1 -0.2
-0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 6. Temperature Coefficients
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/4
RθVC for VCE(sat)
RθVB for VBE
25°C to 125°C
-55°C to 25°C
25°C to 125°C
-55°C to 25°C
Figure 7. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2000
200
400
600
800
1000
Figure 8. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
f,
CURRENT-GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
Cobo
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
-3.0
-7.0
-30
-70
TJ = 25°C
f = 100 MHz
VCE = -10 V
-1.0 V
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
-2.0
-5.0
-3.0
-7.0 -10
-20
-0.2
-0.5
-0.3
-0.7 -1.0
TJ = 25°C
Cibo
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MMBT3646_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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