參數(shù)資料
型號： MMBT2907AL99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： MMBT2907AL99Z
PN2907A
/
MMBT2907A
/
MMPQ2907
/
NMT2907
/
PZT2907A
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN2907A
*PZT2907A
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
125
°C/W
Symbol
Characteristic
Max
Units
**MMBT2907A
MMPQ2907
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
350
2.8
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Effective 4 Die
Each Die
357
125
240
°C/W
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics
*Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.
**Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
0
100
200
300
400
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
TYPICA
L
PULSE
D
CU
RRE
N
T
GA
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
500
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-CO
LLEC
T
O
R
EM
ITTE
R
V
O
L
T
A
GE
(V)
C
CE
S
A
T
β = 10
25 °C
- 40 C
125 C
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PDF描述
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