型號: | MMBT2907AG-AL3-R |
廠商: | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 4/6頁 |
文件大?。?/td> | 246K |
代理商: | MMBT2907AG-AL3-R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBT2907AL-AE3-R | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907AL-AL3-R | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907A-AE3-R | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907A-AL3-R | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907AL | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBT2907AGH | 制造商:ZOWIE 制造商全稱:Zowie Technology Corporation 功能描述:General Purpose Transistor PNP Silicon |
MMBT2907A-GS08 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2907A-HF | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
MMBT2907AK | 功能描述:兩極晶體管 - BJT EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2907AL | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors PNP Silicon |