參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2907AG-AL3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 246K
代理商： MMBT2907AG-AL3-R
MMBT2907A
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 6
www.unisonic.com.tw
QW-R220-001.D
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°С unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-60
V
Collector-Base Voltage
VCBO
-60
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current Continuous
IC
-800
mA
SOT-23
350
mW
Power Dissipation
SOT-323
PD
275
mW
Junction Temperature
TJ
+150
°С
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
°С
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
THERMAL DATA
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
SOT-23
357
°C/W
Junction to Case
SOT-323
θJA
455
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°С, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX UNIT
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note)
BVCEO IC=-10mA, IB=0
-
60
V
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO IC=-10μA, IE=0
-60
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO IE=-10μA , IC=0
-
5
V
Base Cutoff Current
IB
VCB=-30V, VEB=-0.5V
-
50
nA
Collector Cutoff Current
ICEX
VCE=-30V, VBE=-0.5V
-
50
nA
VCB=-50V, IE=0
-
0.02
μA
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=-50V, IE=0, TA=150°С
-
20
μA
ON CHARACTERISTICS
IC=-0.1mA, VCE=-10V
75
IC=-1.0 mA, VCE=-10V
100
IC=-10 mA, VCE=-10V
100
IC=-150 mA, VCE=-10V (Note)
100
300
DC Current Gain
hFE
IC=-500 mA, VCE=-10V (Note)
50
IC=-150 mA, IB=-15mA
-
0.4
V
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note)
VCE(SAT)
IC=-500 mA, IB=-50mA
-
1.6
V
IC=-150 mA, IB=-15mA (Note)
-
1.3
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(SAT)
IC=-500 mA, IB=-50mA
-
2.6
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain – Bandwidth Product
fT
IC=-50mA, VCE=-20V, f=100MHz
200
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=-10V, IE=0, f=100kHz
8
pF
Input Capacitance
Cib
VEB=-2V, IC=0, f=100kHz
30
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-on Time
tON
45
ns
Delay Time
tDLY
10
ns
Rise Time
tR
VCC=30V, IC=-150mA,
IB1=-15mA
40
ns
Turn-off Time
tOFF
100
ns
Storage Time
tS
80
ns
Fall Time
tF
VCC=6V, IC=-150mA,
IB1= IB2=-15mA
30
ns
Note: Pulse Test: Pulse Width
≤ 300ms, Duty Cycle≤2.0%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2907AL-AE3-R 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907AL-AL3-R 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A-AE3-R 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A-AL3-R 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907AL 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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MMBT2907A-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT2907AL 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors PNP Silicon
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