參數(shù)資料
型號： MMBT2907A/E9
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： MMBT2907A/E9
MMBT2907A
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88223
2
10-May-02
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
–VCE = 10V, –IC = 0.1mA
75
——
–VCE = 10V, –IC = 1mA
100
——
DC Current Gain
hFE
–VCE = 10V, –IC = 10mA
100
———
–VCE = 10V, –IC = 150mA
(1)
100
—
300
–VCE = 10V, –IC = 500mA
(1)
50
——
Collector Cutoff Current
–ICEV
–VEB = 0.5V, –VCE = 30V
——
50
nA
Collector Cutoff Current
–ICBO
–VCB = 50V, IE = 0
——
0.01
A
–VCB = 50V, IE =0,TA = 125°C
——
10
Emitter-Base Cutoff Current
–IBL
–VEB = 0.5V, –VCE = 30V
——
50
nA
Collector-Emitter Saturation Voltage(1)
–VCEsat
–IC = 150mA, –IB = 15mA
——
0.4
V
–IC = 500mA, –IB = 50mA
——
1.6
Base-Emitter Saturation Voltage(1)
–VBEsat
–IC = 150mA, –IB = 15mA
——
1.3
V
–IC = 500mA, –IB = 50mA
——
2.6
Collector-Emitter Breakdown Voltage(1)
–V(BR)CEO
–IC = 10mA, IB = 0
60
——
V
Collector-Base Breakdown Voltage
–V(BR)CBO
–IC = 10
A, IE = 0
60
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
–V(BR)EBO
–IE = 10
A, IC = 0
5.0
——
V
Current Gain-Bandwidth Product
fT
–VCE = 20V, –IC = 50mA
200
——
MHz
f = 100MHz
Output Capacitance
Cobo
–VCB = 10V, f = 1.0MHz
——
8pF
IE = 0
Input Capacitance
Cibo
–VEB = 2.0V, f = 1.0MHz
——
30
pF
IC = 0
Note:
(1) Pulse test: Pulse width
≤ 300s, duty cycle ≤ 2.0%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2907A 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907AT/R13 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT2907AGH 制造商:ZOWIE 制造商全稱:Zowie Technology Corporation 功能描述:General Purpose Transistor PNP Silicon
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MMBT2907AK 功能描述:兩極晶體管 - BJT EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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