參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2907A/E8
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 33K
代理商： MMBT2907A/E8
MMBT2907A
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88223
2
10-May-02
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
–VCE = 10V, –IC = 0.1mA
75
——
–VCE = 10V, –IC = 1mA
100
——
DC Current Gain
hFE
–VCE = 10V, –IC = 10mA
100
———
–VCE = 10V, –IC = 150mA
(1)
100
—
300
–VCE = 10V, –IC = 500mA
(1)
50
——
Collector Cutoff Current
–ICEV
–VEB = 0.5V, –VCE = 30V
——
50
nA
Collector Cutoff Current
–ICBO
–VCB = 50V, IE = 0
——
0.01
A
–VCB = 50V, IE =0,TA = 125°C
——
10
Emitter-Base Cutoff Current
–IBL
–VEB = 0.5V, –VCE = 30V
——
50
nA
Collector-Emitter Saturation Voltage(1)
–VCEsat
–IC = 150mA, –IB = 15mA
——
0.4
V
–IC = 500mA, –IB = 50mA
——
1.6
Base-Emitter Saturation Voltage(1)
–VBEsat
–IC = 150mA, –IB = 15mA
——
1.3
V
–IC = 500mA, –IB = 50mA
——
2.6
Collector-Emitter Breakdown Voltage(1)
–V(BR)CEO
–IC = 10mA, IB = 0
60
——
V
Collector-Base Breakdown Voltage
–V(BR)CBO
–IC = 10
A, IE = 0
60
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
–V(BR)EBO
–IE = 10
A, IC = 0
5.0
——
V
Current Gain-Bandwidth Product
fT
–VCE = 20V, –IC = 50mA
200
——
MHz
f = 100MHz
Output Capacitance
Cobo
–VCB = 10V, f = 1.0MHz
——
8pF
IE = 0
Input Capacitance
Cibo
–VEB = 2.0V, f = 1.0MHz
——
30
pF
IC = 0
Note:
(1) Pulse test: Pulse width
≤ 300s, duty cycle ≤ 2.0%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2907A/E9 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2907A 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907AT/R13 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MMBT2907A-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT2907AGH 制造商:ZOWIE 制造商全稱:Zowie Technology Corporation 功能描述:General Purpose Transistor PNP Silicon
MMBT2907A-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907A-HF 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=60V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT2907AK 功能描述:兩極晶體管 - BJT EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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