參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2484D87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 40K
代理商： MMBT2484D87Z
PN2484
/
MMBT2484
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤300s, Duty Cycle ≤3.0%
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
B = 0
60
V
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
IC = 10 mA, IE = 0
60
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
E = 0
5.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 45 V, IE = 0
VCB = 45 V, IE = 0, TA = 150
°C
10
nA
A
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 5.0 V, IC = 0
10
nA
Cobo
Output Capacitance
VCB =5.0 V, f = 140 kHz
6.0
pF
Cibo
Input Capacitance
VEB = 0.5 V, f = 140 kHz
6.0
pF
NF
Noise Figure
IC = 10
A, V
CE = 5.0 V,
RS = 10k,f = 1.0 kHz,BW =200 Hz
3.0
dB
hFE
DC Current Gain
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V*
250
800
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 1.0 mA, IB = 0.1 mA
0.35
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V
0.95
V
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
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PDF描述
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MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBT2484LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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