參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2369ALT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Switching Transistors NPN Silicon
中文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 95K
代理商： MMBT2369ALT1G
MMBT2369LT1, MMBT2369ALT1
http://onsemi.com
3
Figure 1. t
on
Circuit 10 mA
Figure 2. t
off
Circuit 10 mA
+10.6 V
1.5 V
0
t
1
< 1 ns
PULSE WIDTH (t
1
) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2%
3 V
270
3.3 k
C
s
* < 4 pF
+10.75 V
0
9.15 V
t
1
< 1 ns
PULSE WIDTH (t
1
) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2%
270
3.3 k
C
s
* < 4 pF
*Total shunt capacitance of test jig and connectors.
Figure 3. t
on
Circuit 100 mA
Figure 4. t
off
Circuit 100 mA
10 V
95
1 k
C
s
* < 12 pF
+10.8 V
2 V0
t
1
< 1 ns
PULSE WIDTH (t
1
) = 300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
8.6 V
+11.4 V
t
1
0
PULSE WIDTH (t
1
) BETWEEN
10 AND 500 s
DUTY CYCLE = 2%
95
1 k
C
s
* < 12 pF
10 V
1N916
*Total shunt capacitance of test jig and connectors.
Figure 5. TurnOn and TurnOff Time Test Circuit
V
out
90%
10%
V
in
0
t
on
V
in
3.3 k
50
220
50
0.1 F
V
out
3.3 k
0.0023 F
0.005 F
0.0023 F
0.005 F
0.1 F
0.1 F
V
BB
+
+V
CC
= 3 V
V
in
0
90%
10%
t
off
V
out
V
BB
= +12 V
V
in
= 15 V
TO OSCILLOSCOPE
INPUT IMPEDANCE = 50
RISE TIME = 1 ns
TURNOFF WAVEFORMS
PULSE GENERATOR
V
in
RISE TIME < 1 ns
SOURCE IMPEDANCE = 50
PW
≥
300 ns
DUTY CYCLE < 2%
TURNON WAVEFORMS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2369LT1G Switching Transistors NPN Silicon
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參數(shù)描述
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MMBT2369ALT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBT2369L 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switcing Transistors
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