參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2222ATB
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBT2222ATB
PAGE . 2
STAD-MAR.6.2008
MMBT2222ATB
R
E
T
E
M
A
R
A
Pl
o
b
m
y
Sn
o
i
t
i
d
n
o
C
t
s
e
T.
N
I
M.
P
Y
T.
X
A
Ms
t
i
n
U
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
r
e
t
i
m
E
-
r
o
t
c
e
l
o
CV (B R)
O
E
CIC
I
,
A
m
0
.
1
=
B
0
=0
4-
-
V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
r
o
t
c
e
l
o
CV (B R)
O
B
CIC
I
,
A
u
0
1
=
E
0
=5
7-
-
V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
r
e
t
i
m
EV (B R)
O
B
EIE
I
,
A
u
0
1
=
C
0
=0
.
6-
-
V
t
n
e
r
u
C
f
o
t
u
C
e
s
a
BIBL
V E
C
V
,
V
0
6
=
B
E
V
0
.
3
=-
-
0
2A
n
t
n
e
r
u
C
f
o
t
u
C
r
o
t
c
e
l
o
C
ICE X
V E
C
V
,
V
0
6
=
B
E
V
0
.
3
=-
-
0
1A
n
ICB O
V E
C
I
,
V
0
6
=
E
,
0
=
V E
C
I
,
V
0
6
=
E
T
,
0
=
J
5
2
1
=
O C
--
0
1
0
1
A
n
A
u
t
n
e
r
u
C
f
o
t
u
C
r
e
t
i
m
EIEBO
V B
E
,
0
=
C
I
,
V
0
.
3
=-
-
0
1A
n
i
a
G
t
n
e
r
u
C
Dh
E
F
IC
V
,
A
m
1
.
0
=
E
C
V
0
1
=
IC
V
,
A
m
0
.
1
=
E
C
V
0
1
=
IC
V
,
A
m
0
1
=
E
C
V
0
1
=
IC
V
,
A
m
0
1
=
E
C
T
,
V
0
1
=
J
5
2
1
=
O C
IC
V
,
A
m
0
5
1
=
E
C
)
2
e
t
o
N
(
V
0
1
=
IC
V
,
A
m
0
5
1
=
E
C
)
2
e
t
o
N
(
V
1
=
IC
V
,
A
m
0
5
=
E
C
)
2
e
t
o
N
(
V
0
1
=
5
3
0
5
7
5
3
0
1
0
5
0
4
-
0
3
-
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
r
o
t
c
e
l
o
C
)
2
e
t
o
N
(
V CE (S AT)
IC
I
,
A
m
0
5
1
=
B
A
m
5
1
=
IC
I
,
A
m
0
5
=
B
A
m
0
5
=
--
3
.
0
.
1
V
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
e
s
a
B
)
2
e
t
o
N
(
V BE(SAT)
IC
I
,
A
m
0
5
1
=
B
A
m
5
1
=
IC
I
,
A
m
0
5
=
B
A
m
0
5
=
6
.
0
-
2
.
1
0
.
2
V
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
e
s
a
B
-
r
o
t
c
e
l
o
CC CB O
V B
C
I
,
V
0
1
=
E
z
H
M
1
=
f
,
0
=-
-
0
.
8F
p
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
e
s
a
B
-
r
e
t
i
m
EC EBO
V B
C
I
,
V
5
.
0
=
C
z
H
M
1
=
f
,
0
=-
-
5
2F
p
e
m
i
T
y
a
l
e
Dd
t
V C
C
V
,
V
3
=
E
B
,
V
5
-
=
IC
I
,
A
m
0
5
1
=
B
A
m
5
1
=
--0
1s
n
e
m
i
T
e
s
i
Rr
t
V C
C
V
,
V
3
=
E
B
,
V
5
-
=
IC
I
,
A
m
0
5
1
=
B
A
m
5
1
=
--
5
2s
n
e
m
i
T
e
g
a
r
o
t
Ss
t
V C
C
I
,
V
0
3
=
C
A
m
0
5
1
=
IB
I
=
1
B
A
m
5
1
=
2
--
5
2
2s
n
e
m
i
T
l
a
Ff
t
V C
C
I
,
V
0
3
=
C
A
m
0
5
1
=
IB
I
=
1
B
A
m
5
1
=
2
--
0
6s
n
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Note 2: Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%.
200
W
1K
W
0
-2 V
1.0 to 100u s
Duty Cycle ~ 2.0%
+16V
+30 V
Fig. 1 T urn-On T i me
Fig. 2 T urn-Off T ime
< 2ns
C * < 10pF
S
* Total shunt capacitance o f t est jig, connectors, and oscilloscope
Scope rise time < 4ns
0
-14 V
1.0 to 100us
Duty Cycle ~ 2.0%
+16V
< 20ns
-4V
0
1N914
+30V
200
W
1K
W
C* < 10pF
S
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2484D84Z 100 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A-13 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A-GS18 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907ALT1
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2222A-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATR 制造商:All American Misc. 功能描述:
MMBT2222AT-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ATT1_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*