參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2222ALT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： General Purpose Transistors NPN Silicon(NPN型通用晶體管)
中文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： MMBT2222ALT1
MMBT2222LT1, MMBT2222ALT1
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Unit
Max
Min
Symbol
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
Collector Base Time Constant
(I
E
= 20 mAdc, V
CB
= 20 Vdc, f = 31.8 MHz)
MMBT2222A
rb, C
c
-
150
ps
Noise Figure
(I
C
= 100 Adc, V
CE
= 10 Vdc, R
S
= 1.0 k , f = 1.0 kHz)
MMBT2222A
NF
-
4.0
dB
SWITCHING CHARACTERISTICS (MMBT2222A only)
Delay Time
(V
CC
= 30 Vdc, V
BE(off)
= -0.5 Vdc,
I
C
= 150 mAdc, I
B1
= 15 mAdc)
t
d
-
10
ns
Rise Time
t
r
-
25
Storage Time
(V
CC
= 30 Vdc, I
C
= 150 mAdc,
I
B1
= I
B2
= 15 mAdc)
t
s
-
225
ns
Fall Time
t
f
-
60
4. Pulse Test: Pulse Width
5. f
T
is defined as the frequency at which |h
fe
| extrapolates to unity.
300 s, Duty Cycle
2.0%.
Figure 1. Turn-On Time
Figure 2. Turn-Off Time
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
Scope rise time < 4 ns
*Total shunt capacitance of test jig, connectors, and oscilloscope.
+16 V
-2 V
< 2 ns
0
1.0 to 100 s,
DUTY CYCLE
≈
2.0%
1 k
+30 V
200
C
S
* < 10 pF
+16 V
-14 V
0
< 20 ns
1.0 to 100 s,
DUTY CYCLE
≈
2.0%
1 k
+30 V
200
C
S
* < 10 pF
-4 V
1N914
1000
700
10
20
30
50
70
100
200
300
500
1.0 k
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500 700
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain
h
T
J
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2222LT1 General Purpose Transistors NPN Silicon(NPN型通用晶體管)
MMBT2222AWT1 General Purpose Transistor NPN Silicon(NPN型通用晶體管)
MMBT2369ALT1G Switching Transistors NPN Silicon
MMBT2369LT1G Switching Transistors NPN Silicon
MMBT2369ALT1 Switching Transistors NPN Silicon(NPN型開關(guān)晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2222ALT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222ALT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBT2222ALT1H 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMBT2222ALT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR SWITCHING NPN SOT-23
MMBT2222ALT1S 制造商:Motorola Inc 功能描述:
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