參數(shù)資料
型號： MMBT100
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN General Purpose Amplifier
中文描述： 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： MMBT100
P
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA= 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
I
CES
Collector Cutoff Current
I
EBO
Emitter Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
C
obo
Output Capacitance
NF
Noise Figure
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
I
C
= 10
μ
A, I
B
= 0
I
C
= 1 mA, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 60 V
V
CE
= 40 V
V
EB
= 4 V
75
45
6.0
V
V
V
nA
nA
nA
50
50
50
I
C
= 100
μ
A, V
CE
= 1.0 V
100
100A
I
C
= 10 mA, V
CE
= 1.0 V
100
100A
I
C
= 100 mA, V
CE
= 1.0 V*
I
C
= 150 mA, V
CE
= 5.0 V*
100
100A
80
240
100
300
100
100
100
450
600
350
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 200 mA, I
B
= 20 mA*
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 200 mA, I
B
= 20 mA*
0.2
0.4
0.85
1.0
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
CE
= 20 V, I
C
= 20 mA
V
CB
= 5.0 V, f = 1.0 MHz
I
C
= 100
μ
A, V
= 5.0 V,
100
R
G
= 2.0 k
, f = 1.0 kHz
100A
250
MHz
pF
dB
dB
4.5
5.0
4.0
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
10
20
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
30
50
100
200 300
500
0
100
200
300
400
h
F
125 °C
25 °C
- 40 °C
Vce = 5V
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
1
10
100
400
0.1
0.2
0.3
0.4
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
25 °C
- 40 °C
125 °C
β
= 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT100A NPN General Purpose Amplifier
MMBT200 PNP General Purpose Amplifier
MMBT200A PNP General Purpose Amplifier
MMBT2484 NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器)
MMBT2907A PNP General Purpose Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT100_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT100A 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 GEN PURP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT100A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 GEN PURP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT1010 制造商:ETL 制造商全稱:E-Tech Electronics LTD 功能描述:Low Saturation Voltage
MMBT1010LT1 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Low Saturation Voltage
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*