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參數(shù)資料
| 型號： | MMBFJ309 |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | MMBFJ309 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBFJ309-HIGH | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AA |
| MMBFJ310-HIGH | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AA |
| MMBR2060L | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBR5031LT1 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBR5031L | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBFJ309_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier |
| MMBFJ309_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| MMBFJ309L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30MA I(DSS) | SOT-23 |
| MMBFJ309LT1 | 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| MMBFJ309LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel |
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