參數(shù)資料
型號： MMBFJ210D87Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 199K
代理商： MMBFJ210D87Z
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
IDSS
Zero-Gate Voltage Drain Current*
V DS = 15 V, V GS = 0
210
211
212
2.0
7.0
15
20
40
mA
Typical Characteristics
Parameter Interactions
Common Drain-Source
V (BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage
IG = 1.0
A, V DS = 0
- 25
V
IGSS
Gate Reverse Current
V GS = 15 V, V DS = 0
- 100
pA
V GS(off)
Gate-Source Cutoff Voltage
V DS = 15 V, I D = 1.0 nA
210
211
212
-1.0
- 2.5
- 4.0
-3.0
- 4.5
- 6.0
V
gfs
Common Source Forward
Transconductance
V DS = 15 V, V GS = 0, f = 1.0 kHz
210
211
212
4000
6000
7000
12,000
mhos
goss
Common Source Output
Conductance
V DS = 15 V, V GS = 0, f = 1.0 kHz
200
mhos
*Pulse Test: Pulse Width ≤300 S
N-Channel RF Amplifier
(continued)
J210
/
J211
/
J212
/
MMBFJ210
/
MMBFJ211
/
MMBFJ212
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBFJ211D87Z VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
MMBFJ212D87Z VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
MMBFJ211S62Z Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB
MMBFJ211L99Z Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB
MMBFJ211D87Z RF SMALL SIGNAL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBFJ211 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBFJ211_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBFJ212 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBFJ212_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBFJ270 功能描述:JFET P-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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