參數(shù)資料
型號(hào)： MMBF5484LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： JFET Transistor N−Channel
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝： LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 157K
代理商： MMBF5484LT1G
MMBF5484LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
GateSource Breakdown Voltage (I
G
= 1.0 Adc, V
DS
= 0)
V
(BR)GSS
25
Vdc
Gate Reverse Current
(V
GS
= 20 Vdc, V
DS
= 0)
(V
GS
= 20 Vdc, V
DS
= 0, T
A
= 100
°
C)
I
GSS
1.0
0.2
nAdc
Adc
Gate Source Cutoff Voltage (V
DS
= 15 Vdc, I
D
= 10 nAdc)
V
GS(off)
0.3
3.0
Vdc
ON CHARACTERISTICS
ZeroGateVoltage Drain Current (V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0)
I
DSS
1.0
5.0
mAdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfer Admittance (V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 kHz)
|Y
fs
|
3000
6000
mhos
Output Admittance (V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 kHz)
|y
os
|
50
mhos
Input Capacitance (V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
C
iss
5.0
pF
Reverse Transfer Capacitance (V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 10 MHz)
C
rss
1.0
pF
Output Capacitance (V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
C
oss
2.0
pF
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 1. Input Admittance (y
is
)
30
20
10
b
is
@ I
DSS
f, FREQUENCY (MHz)
5.0
Figure 2. Reverse Transfer Admittance (y
rs
)
COMMON SOURCE CHARACTERISTICS
ADMITTANCE PARAMETERS
(V
DS
= 15 Vdc, T
channel
= 25
°
C)
f, FREQUENCY (MHz)
20
f, FREQUENCY (MHz)
10
Figure 3. Forward Transadmittance (y
fs
)
Figure 4. Output Admittance (y
os
)
g
10
7.0
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
20
30
50 70 100
200
300
500 700 1000
b
g
|
g
b
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
g
b
3.0
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.7
0.5
1.0
2.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500 700 1000
10
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1000
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
30
50 70
100
200 300
500 700 1000
b
is
@ 0.25 I
DSS
g
is
@ I
DSS
g
is
@ 0.25 I
DSS
b
rs
@ I
DSS
0.25 I
DSS
g
rs
@ I
DSS
, 0.25 I
DSS
g
fs
@ I
DSS
|b
fs
| @ I
DSS
|b
fs
| @ 0.25 I
DSS
b
os
@ I
DSS
and 0.25 I
DSS
g
os
@ I
DSS
g
os
@ 0.25 I
DSS
g
fs
@ 0.25 I
DSS
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PDF描述
MMBF5484LT1 JFET Transistor N(N溝道JFET晶體管)
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MMBF5485_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF5486 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF5486_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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