參數(shù)資料
型號: MMBF5484LT1
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: JFET Transistor N(N溝道JFET晶體管)
中文描述: VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 148K
代理商: MMBF5484LT1
MMBF5484LT1
http://onsemi.com
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COMMON GATE CHARACTERISTICS
SPARAMETERS
(V
DS
= 15 Vdc, T
channel
= 25
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C, Data Points in MHz)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBFJ175LT1G JFET Chopper P-Channel - Depletion
MMBFJ177LT1G JFET Chopper P-Channel - Depletion
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MMBFJ310LT1G JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBF5484LT1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:JFET Transistor N−Channel
MMBF5484LT1G 功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
MMBF5484LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR JFET N-CHANNEL 3MA I(DSS)
MMBF5485 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF5485_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel