參數(shù)資料
型號(hào)： MMBF5460LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： JFET - General Purpose Transistor P-Channel
中文描述： P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： MMBF5460LT1G
MMBF5460LT1
http://onsemi.com
4
1000
700
0.1
0.2
I
D
, DRAIN CURRENT (mA)
Figure 7. Output Resistance
versus Drain Current
10
0.5
1.0
2.0
5.0
10
r
C
10
0
V
DS
, DRAINSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Capacitance versus
DrainSource Voltage
0
N
10
R
S
, SOURCE RESISTANCE (k Ohms)
Figure 9. Noise Figure versus
Source Resistance
0
Figure 10. Equivalent Low Frequency Circuit
20
30
50
70
100
200
300
500
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
20
30
40
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
1.0
10
100
1000
10,000
NOTE:
1. Graphical data is presented for dc conditions. Tabular data is given
for pulsed conditions (Pulse Width = 630 ms, Duty Cycle = 10%).
*C
osp
is C
oss
in parallel with Series Combination of C
iss
and C
rss
.
v
i
C
rss
C
iss
r
oss
C
oss
| y
fs
| v
i
COMMON SOURCE
y PARAMETERS FOR FREQUENCIES
BELOW 30 MHz
y
is
= j C
iss
y
os
= j C
osp
* + 1/r
oss
y
fs
= y
fs
|
y
rs
= j C
rss
V
DS
= 15 V
f = 1.0 kHz
I
DSS
= 3.0 mA
6.0 mA
10 mA
f = 1.0 MHz
V
GS
= 0
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 15 V
V
GS
= 0
f = 100 Hz
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PDF描述
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