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參數(shù)資料
| 型號： | MMBF5460LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | JFET General Purpose Transistor P Channel(P溝道JFET通用晶體管) |
| 中文描述： | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | MMBF5460LT1 |
MMBF5460LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
GateSource Breakdown Voltage
(I
G
= 10 Adc, V
DS
= 0)
V
(BR)GSS
40
Vdc
Gate Reverse Current
(V
GS
= 20 Vdc, V
DS
= 0)
(V
GS
= 20 Vdc, V
DS
= 0, T
A
= 100
°
C)
I
GSS
5.0
1.0
nAdc
Adc
Gate Source Cutoff Voltage
(V
DS
= 15 Vdc, I
D
= 1.0 Adc)
V
GS(off)
0.75
6.0
Vdc
Gate Source Voltage
(V
DS
= 15 Vdc, I
D
= 0.1 mAdc)
V
GS
0.5
4.0
Vdc
ON CHARACTERISTICS
ZeroGateVoltage Drain Current
(V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0)
I
DSS
1.0
5.0
mAdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfer Admittance
(V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 kHz)
|Y
fs
|
1000
4000
mhos
Output Admittance
(V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 kHz)
|y
os
|
75
mhos
Input Capacitance
(V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
C
iss
5.0
7.0
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
C
rss
1.0
2.0
pF
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PDF描述 |
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