參數(shù)資料
型號(hào)： MMBF5457LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： JFET - General Purpose Transistor N-Channel
中文描述： 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝： LEAD FREE, CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： MMBF5457LT1G
MMBF5457LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
GateSource Breakdown Voltage
(I
G
= 10 Adc, V
DS
= 0)
V
(BR)GSS
25
Vdc
Gate Reverse Current
(V
GS
= 15 Vdc, V
DS
= 0)
(V
GS
= 15 Vdc, V
DS
= 0, T
A
= 100
°
C)
I
GSS
1.0
200
nAdc
Gate Source Cutoff Voltage
(V
DS
= 15 Vdc, I
D
= 10 nAdc)
V
GS(off)
0.5
6.0
Vdc
Gate Source Voltage
(V
DS
= 15 Vdc, I
D
= 100 Adc)
V
GS
2.5
Vdc
ON CHARACTERISTICS
ZeroGateVoltage Drain Current (Note 2)
(V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0)
I
DSS
1.0
5.0
mAdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfer Admittance (Note 2)
(V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 kHz)
|Y
fs
|
1000
5000
mhos
Output Common Source Admittance
(V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 kHz)
|y
os
|
10
50
mhos
Input Capacitance
(V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
C
iss
4.5
7.0
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 15 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
630 ms, Duty Cycle
≤
10%.
C
rss
1.5
3.0
pF
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PDF描述
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