參數(shù)資料
型號(hào)： MMBF0202PLT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
中文描述： 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
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代理商： MMBF0202PLT1
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
O
0
2
4
8
0
0.6
0.8
1.0
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Transfer Characteristics
ID
0
1
2
3
4
0
0.6
0.8
1.0
ID
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. On–Region Characteristics
0
100
200
500
0
1
3
4
5
0
–5
–10
–20
0
2
3
4
5
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
0
10
12
14
16
–50
25
TEMPERATURE (
°
C)
100
150
0.80
1.20
Qg, TOTAL GATE CHARGE (pC)
Figure 5. Gate Charge
Figure 6. Threshold Voltage Variance
Over Temperature
0.4
0.4
2
300
400
–15
0
230
690
2270
0.2
125
°
C
25
°
C
TC = –55
°
C
0.2
5 V
VGS = 10, 9, 8, 7, 6 V
VGS = 4.5 V
VGS = 10 V
1
V
2
4
6
8
3500
VDS = 16 V
V
ID = 250
μ
A
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0
50
75
125
6
4 V
3 V
200 mA
50 mA
VDS = 10 V
ID = 200 mA
2160
590
–25
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBF0202PLT1 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts
MMBR4957LT1 PNP Silicon High-Frequency Transistor
MMBR4957LT3 PNP Silicon High-Frequency Transistor
MMBR951ALT1 NPN Silicon Low Noise, High-Frequency Transistors
MMBR951LT1 ECONOLINE: ROM - Micro Size SIP4 Package- 3kVDC Isolation- Industry Standard Pinout- UL94V-0 Package Material- Custom Solutions Available- Cost Effective- Efficiency to 85%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBF102 功能描述:射頻JFET晶體管 N-CHANNEL RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MMBF102LT1 制造商:Motorola Inc 功能描述:
MMBF1374T1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MMBF170 功能描述:MOSFET N-Ch Enhance RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMBF170 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23
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