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參數(shù)資料
| 型號： | MMBD452LT3 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 射頻混頻器 |
| 英文描述： | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | MMBD452LT3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD6050-V-GS18 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6050T/R7 | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6050 | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6100T/R7 | 0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD7000 | 0.15 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBD495A | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER |
| MMBD495C | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER |
| MMBD495S | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER |
| MMBD5004A-7 | 功能描述:MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MMBD5004BRM | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY |
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