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參數(shù)資料
| 型號： | MLP1N06CLW |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 60 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | MLP1N06CLW |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MLP1N06CLL | 60 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MLP1N06CLWC | 60 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MLP1N06CLAF | 60 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MLP1N06CLT | 60 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| MLP1N06CL16 | 60 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MLP2012H1R0MT0S1 | 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| MLP2012H1R5M | 制造商:TDK 功能描述:INDUCTOR MULTILAYER 1.5UH |
| MLP2012H1R5MT0S1 | 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| MLP2012H2R2MT0S1 | 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1A 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| MLP2012HR47M | 制造商:TDK 功能描述:INDUCTOR POWER 470NH 20% 0805 |
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