參數(shù)資料
型號： MLP1N06CL16
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： 60 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 1/1頁
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代理商： MLP1N06CL16
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PDF描述
MLP1N06CLUA 60 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MLA1N06CL 60 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
MLP1N06CLD1 60 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MM118-12FT 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MM118-12T 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
MLP1N06CLG 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MLP2012H1R0MT0S1 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MLP2012H1R5M 制造商:TDK 功能描述:INDUCTOR MULTILAYER 1.5UH
MLP2012H1R5MT0S1 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MLP2012H2R2MT0S1 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1A 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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