參數(shù)資料
型號： MLD1N06CLT4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： 1 A, 59 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 256K
代理商： MLD1N06CLT4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MLD2N06CLT4 2 A, 58 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MLD685D 85 A, 60 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MLL3018A-1 8.2 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
MLL3017A-1 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
MLQ3017B-1 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MLD1N06CLT4G 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MLD1N06CLT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
MLD2016S1R0MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806（2016 公制） 供應(yīng)商器件封裝:0806（2016 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MLD2016S1R5MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:195 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806（2016 公制） 供應(yīng)商器件封裝:0806（2016 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MLD2016S2R2MTD25 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:900mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:221 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806（2016 公制） 供應(yīng)商器件封裝:0806（2016 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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