型號: | MLD1N06CLT4 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 1 A, 59 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件頁數(shù): | 3/6頁 |
文件大?。?/td> | 256K |
代理商: | MLD1N06CLT4 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MLD2N06CLT4 | 2 A, 58 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MLD685D | 85 A, 60 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MLL3018A-1 | 8.2 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
MLL3017A-1 | 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
MLQ3017B-1 | 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MLD1N06CLT4G | 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
MLD1N06CLT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
MLD2016S1R0MTD25 | 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):156 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806(2016 公制) 供應商器件封裝:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 |
MLD2016S1R5MTD25 | 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):195 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806(2016 公制) 供應商器件封裝:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 |
MLD2016S2R2MTD25 | 功能描述:INDUCTORS FOR POWER CIRCUITS,AUT 制造商:tdk corporation 系列:MLD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:900mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):221 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806(2016 公制) 供應商器件封裝:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 |