參數(shù)資料
型號: ML610Q409P-NNNTBZ03A
廠商: LAPIS SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: 微控制器/微處理器
英文描述: RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
封裝: 14 X 14MM, 0.50 PITCH, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù): 38/62頁
文件大小: 1994K
代理商: ML610Q409P-NNNTBZ03A
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1
.
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R
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-
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0
B
3
0
J
E
R
5. Electrical Characteristics
p
u
o
r
G
0
8
/
C
2
3
M
Figure 5.2 VCC1=VCC2=5V Timing Diagram (1)
BCLK
RD
18ns.max
-5ns.min
Hi-Z
DB
0ns.min
tsu(DB-BCLK)
td(BCLK-RD)
26ns.min(1)
CSi
td(BCLK-CS)
18ns.max(1)
ADi
th(BCLK-AD)
-3ns.min
th(BCLK-CS)
-3ns.min
BHE
tcyc
td(BCLK-AD)
0ns.min
tac1(AD-DB)(2)
WR,WRL,
WRH
18ns.max
-5ns.min
BCLK
CSi
td(BCLK-CS)
18ns.max
ADi
td(BCLK-AD)
18ns.max
-3ns.min
tcyc
BHE
DBi
td(BCLK-WR)
th(WR-DB)(3)
td(DB-WR)=(tcyc x m-20)ns.min
(if external bus cycle is a
φ+bφ, m=b)
th(WR-DB)=(tcyc/2-10)ns.min
th(WR-AD)=(tcyc/2-10)ns.min
th(WR-CS)=(tcyc/2-10)ns.min
tw(WR)=(tcyc/2 x n-15)ns.min
(if external bus cycle is a
φ+bφ , n=(bx2)-1)
Vcc1=Vcc2=5V
th(BCLK-RD)
th(RD-DB)
th(RD-AD)
th(RD-CS)
th(BCLK-WR)
th(BCLK-AD)
th(BCLK-CS)
th(WR-CS)(3)
th(WR-AD)(3)
tw(WR)(3)
tac1(RD-DB)(2)
18ns.max(1)
[ Read Timing ] (1
φ +1φ Bus Cycle)
[ Write timing ] (1
φ +1φ Bus Cycle)
NOTE:
3. Varies with operation frequency:
Measurement Conditions:
VCC1=VCC2=4.2 to 5.5V
Input high and low voltage: VIH=2.5V, VIL=0.8V
Output high and low voltage: VOH=2.0V, VOL=0.8V
Memory Expansion Mode and Microprocessor Mode
(when accessing an external memory space)
NOTES:
1. Values guaranteed only when the microcomputer is used independently.
A maximum of 35ns is guaranteed for td(BCLK-AD)+tsu(DB-BCLK).
2. Varies with operation frequency:
tac1(RD-DB)=(tcyc/2 x m-35)ns.max (if external bus cycle is a
φ + bφ, m=(b x 2)+1)
tac1(AD-DB)=(tcyc x n-35)ns.max (if external bus cycle is a
φ + bφ, n=a+b)
td(DB-WR)(3)
tcyc=
10
f(BCLK)
9
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PDF描述
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參數(shù)描述
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